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如何清洗單晶片

更新時(shí)間:2020-04-29   點(diǎn)擊次數(shù):1336次

大直徑晶片的清洗采用上述方法不好保證其清洗過(guò)程的完成,通常采用單晶片清洗法,如下圖所示,其清洗過(guò)程是在室溫下重復(fù)利用DI-O 3/DHF清洗液,臭氧化的DI水(DI-O3 )產(chǎn)生氧化硅,稀釋的HF蝕刻氧化硅,同時(shí)清除顆粒和金屬污染物。根據(jù)蝕刻和氧化的要求采用較短的噴淋時(shí)間就可獲得好的清洗效果,不會(huì)發(fā)生交叉污染。后沖洗不是采用DI水就是采用臭氧化DI水。為了避免水漬,采用濃縮大量氮?dú)獾漠惐掖迹?/span>IPA)進(jìn)行干燥處理。單晶片清洗具有或者比改良的RCA清洗更好的清洗效果,清洗過(guò)程中通過(guò)采用DI水及HF的再循環(huán)利用,降低化學(xué)品的消耗量,提高晶片成本效益。

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